序號

采購項目名稱

需求概況

初步技術
參數

預算金額

（萬元）

預計采購時間

備注

1

全自動雙沉積腔原子層沉積設備

全自動雙沉積腔原子層沉積設備1套

1、報價應為人民幣（含稅）且包括服務、售后、運輸費等全部費用。

2、所有產品價 (略) 場調價政策而調整。*方除非因*方需求改變或經*方同意，且不得增加任何費用。

3、*方提供的物資質量應符合國家標準。各項技術性能指標必須達到合同和技術文件規定的要求。

4、合同生效后，*方在12個月內完成貨品運輸、安裝及調試

5、提供1年免費維保；

6、包裝及資料全新未使用。

7、不能公開項目采購相關信息，包括數量及用途等，涉及物資的全部技術資料等未經*方同意*方不得向社會公開。

1.設備主體：

★1.1設備主腔體采用雙腔（等離子腔+反應腔）熱壁反應腔室設計。反應室腔體外壁無需水冷即可保持溫度低于60攝氏度（確保接觸安全）。

1.2通過反應腔內的加熱部件同時對襯底與反應腔體壁加熱，襯底可被加熱至400℃，腔壁可被加熱至100℃，襯底配置額外的高溫模塊可單獨加熱至500℃以上。

★1.3反應腔體可以用來沉積8英寸（200毫米）的襯底，兼容8英寸以下的襯底。

1.4反應腔體的密封蓋通過電動升降機自動開關，同時反應腔體與等離子腔體之間配置計算機控制的自動隔離閥（等離子體快門）。

★1.5反應腔本底真空優于1E-2 mbar (0.01 hp)；反應腔真空漏率優于2E-4 mbar？l/s；反應腔配置薄膜電容真空計做為壓強傳感器，滿量程1托，分辨率 0.001%滿量程；

2. 前驅源及管路系統：

2.1配置的每條管路均須配置質量流量計、脈沖閥，液態源與加熱源分別配置獨立的溫度傳感器。每條管線分別與載氣連接，用于提高脈沖的前驅體流速并使前驅體均勻分散到襯底上；MFC 量程根據原子層沉積工藝確定；流速可預設。

2.2前驅體氣體在襯底上的流動模式：氣流通過Showerhead自上而下流經樣品表面。

2.3設備最多可配置6條獨立的前驅體源管路，分別對應反應腔體上4個完全獨立的前驅體源入口。

2.4配置2套加熱源系統包含源瓶、溫控管路、脈沖閥門與熱絕緣器; 加熱源料瓶容積不小于300 ml，加熱溫度不低于200℃。

2.5配置4套常溫液態源系統包含液態源瓶、管道與脈沖閥門，適用于高蒸氣壓的液態前驅體。容積不小于300ml，配置手動隔離閥。每路管路可加熱到最高200℃。

2.6 配置臭氧發生器

3.可實現遠程等離子體增強功能

3.1等離子體源須采用真遠程CCP等離子體方式，等離子體不直接照射于樣品、防止對樣品表面的損傷（包括離子轟擊、紫外輻照所造成的損傷）；且制備溫度可低于100℃。等離子體源的射頻功率≥300 W，頻率13.56 MHz；

★3.2至少2路獨立的等離子體工藝氣體管路，最多可擴展至7路。配置至少1路腐蝕性氣體管路（NH3）、采用by-pass管路設計。

3.3為保證操作的靈活性，無需裝卸等離子體發生器及相應的氣體管路就可以直接使用等離子體。軟件自動控制系統進入或離開等離子體ALD的工作模式。

4. 真空泵要求：

符合 ALD 沉積要求，原裝進口干泵，抽速不小于500立方米/小時。

5.真空泵前尾氣處理系統的要求：真空管路配置冷阱Vapor trap。

6.預真空系統：

配備預真空室（Load lock），提供樣品基底傳片裝置，傳片裝置須通過門閥系統與反應腔集成，以確保在不打開反應腔的情況下進行樣品的裝卸；預真空室配置單獨的干泵、真空計，本底真空≤0.1 mbar；漏率≤1E-3 mbar.l/s；

7. 采用激光橢偏儀進行原位實時監測薄膜生長過程、膜厚的在線測量，可對膜厚進行精確的控制。

★8.300℃下，在6英寸wafer上，采用TMA和H₂O沉積50nm Al₂O₃，薄膜均勻性≤2%（1-sigma，除去邊緣5mm）。

650

2023.8

合計

650萬