感應耦合等離子體刻蝕機項目所在采購意向：東北師范大學2022年11至12月政府采購意向采購單位：東北師范大學采購項目名稱：感應耦合等離子體刻蝕機預算金額：300.*萬元(人民幣)采購品目：
A*采購需求概況 ：
主要功能：ICP干法刻蝕機可實現硅材料、石英、光刻膠以及金屬等材料的高深寬比、高速率、高選擇比和高刻蝕深度的刻蝕，并可在一定范圍內調控刻蝕角度，并可兼容常規氧化硅、氮化硅、硅和部分聚合物材料的刻蝕，為制作納米材料器件、微電子器件、光電子器件和微機電系統制備等提供了新穎的技術手段。 關鍵參數： 1、反應腔：真空漏率≤ 2E-4 mbar·l/s； 2、等離子體密度到1E12 cm-3； 3、ICP源射頻發生器：頻率13.56 MHz，功率≥1100 W；下電極偏置射頻發生器：頻率13.56 MHz，功率≥600 W； 4、真空系統：渦輪分子泵，抽速≥ 1300 l/s；前級泵采用干泵，抽速≥ 100 m3/h；本底真空≤ 1E-6 mbar； 5、氣路系統： (略) 工 (略) ，包括SF6, CHF3, CF4, O2, Ar, Cl2, BCl3等工藝氣體； 6、刻蝕工藝指標：以氮化硅為例，刻蝕深度：≥ 1 μm；刻蝕速率（最大）： ≥ 100 nm/min；選擇比（Si3N4: 光刻膠） ≥ 1.5:1；刻蝕深度的不均勻性(片內)： ≤ ± 5%；刻蝕深度的重復性(片間)：≤ ± 5% ；陡直度：≥ 80°預計采購時間：2022-12備注：